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2025-12-03
三星电子近日宣布已成功完成第六代高带宽内存(HBM4)芯片的开发,并正积极进入量产准备阶段...
三星电子 HBM4
存储器
2025-11-05
据《DealSite》报导,三星电子正加速导入10 纳米级第六代(1c)DRAM 设备,目标在明年初启动HBM4 量产...
三星 HBM4
2025-10-30
英伟达首次展示了Vera Rubin 超级芯片的实机设计...
英伟达 HBM4
数据中心/服务器
2025-07-21
韩国媒体报导,三星电子在10奈米级第六代(1c)DRAM制程方面取得了重大进展,良率已突破50%...
2025-06-12
美光科技于6月10日宣布,已向多个主要客户交付了36GB的HBM4样品,这一里程碑标志着其在AI应用内存性能和能效方面的进一步提升...
HBM4
NAND FLASH ( 2025/12/5 18:24:04 )
DRAM ( 2025/12/5 18:24:04 )