来源：News feed
三星电子近日已成功完成第六代高带宽内存（HBM4）芯片的开发，并正积极进入量产准备阶段。作为全球领先的半导体制造商，三星目前正在向英伟达发送HBM4原型样品，以进行质量测试。这一进展标志着三星在高性能内存技术领域的又一重要里程碑。
据悉，三星的目标是在2025年底前启动HBM4的量产，而非仅是完成开发工作。该芯片的推出预计将为高性能计算、人工智能和图形处理等领域带来显著的性能提升。三星还在积极建立即时量产的系统，以确保能够满足市场需求。
HBM4芯片采用了混合键合（Hybrid Bonding）技术，取代了传统的微凸点连接，预计将为数据中心和高性能计算平台提供更高的带宽（10-11 Gbps）和更低的延迟，进一步推动相关行业的发展。业界普遍期待这一新产品的上市能够为市场带来新的活力。
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